GaN 材料の臨界磁場はシリコンの10倍です。同じ定格電圧で遥かに低いON抵抗を実現できます。

スイッチング速度が速いためパワーエレクトロニクスシステム設計者は受動部品の総体積を削減でき電力が大幅に向上します。

GaN 材料の優れた熱特性によりヒートシンクを小型化したりヒートシンクなしでも済むようになりシステムのサイズと重量がさらに削減されます。

シリコン基板を使用した GaN HEMT は古いシリコン工場で製造できるため製造コストが低く抑えられます。また、GaN HEMT はシリコンに比べてデバイスあたりの占有面積が小さいため近い将来にはシリコンよりもユニットコストが低くなることが期待されます。