GAN HEMTS

GaN パワー HEMT 製品

GaN パワーインターナショナルは、個別の GaN パワー デバイス、GaN/シリコン合一のパッケージ IC、および GaN のみのパワー IC を提供できることを誇りに思っています。現在、電流の許容範囲が 8A から 60A の650V および 1200V の認定デバイス (生産中) と限定的なエンジニアリングサンプルを在庫しています。デバイスと IC は、TO-220、TO-252、TO263、DFN、LGA など、いくつかのパッケージで提供されます。GaN デバイスと IC に加えて、GaN の高周波および高効率スイッチング特性を活用した GaNPower 特許技術による電源システムソリューションも提供しています。

すべてのディスクリート半導体 GaN FET は、しきい値電圧が約 1.4V のシングルダイ E モードデバイスです。

ディスクリート半導体 GaN FET 650 V シリーズ

ディスクリート半導体 GaN FET 900V シリーズ

ディスクリート半導体 GaN FET 1200V シリーズ

GaNPowerIC^TM (GaN パワー IC)

GaN Power 評価ボード

GaN FET および All-GaN-IC のベアダイ

さらに詳しい情報

重要なお知らせ – GaNPower の権限のある代表者によって書面で明示的に承認されていない限り、GaNPopwer コンポーネントは、人命救助、生命維持、軍事、航空機、または宇宙の用途で使用するように設計、承認、または保証されていません。また、故障または誤動作により人身傷害、死亡、財産または環境への損害が発生する可能性がある製品またはシステムで使用するようにも設計、承認、または保証されていません。本書に記載されている情報は、いかなる場合もパフォーマンスの保証とは見なされません。GaNPower は、知的財産権の非侵害の保証を含むがこれに限定されない、あらゆる種類のすべての保証および責任を放棄します。その他のすべてのブランド名および製品名は、それぞれの所有者の商標または登録商標です。ここで提供される情報はガイドとしてのみ意図されており、予告なしに変更されることがあります。ここに含まれる情報またはそのような情報の使用は、明示的または暗黙的に、いかなる当事者に対しても特許権、ライセンス、またはその他の知的財産権を付与するものではありません。無断複写・転載を禁じます。

情報元 – ここのデータは最近のテストに基づいていますが、すべてのパラメータが最新ではない可能性があります。パッケージ製造からの実際の最終テストデータは、リクエストに応じて特定の顧客に提供されます。

よくある質問