パワーエレクトロニクスは、再生可能エネルギー変換の中枢です。DMOSやIGBTなどのシリコンベースのパワーデバイスは、性能限界に達しています。GaNは、電力変換時のエネルギー損失をさらに削減します。現在私たちはノートパソコンの電源アダプター、太陽電池マイクロインバーター、EV充電ステーションの電源モジュール、データセンターサーバー電源モジュールなど、GaN HEMTアプリケーション向けのいくつかのパワーエレクトロニクスシステムに注目しています。
GaNPowerでは、優れた製品はテクノロジーとアートのユニークな融合であるべきだと考えています。そのため、GaN HEMTを電源スイッチとして使用する最先端の電力変換技術に注力するだけでなく、芸術作品の傑作を提供することにも努めています。私たちは、ラップトップとその他のモバイルデバイスの両方に対応する、世界最小で最もエレガントな電源アダプターを構築しています。
中央インバータと比較して、ソーラーパネルのマイクロインバータは各パネルに対して単独で動作するため、個別の最適化と最大電力点追従（MPPT）が可能になります。マイクロインバータは、エネルギー効率が高く（出力が約5〜25％増加）、長期的にはユーザーのコストが下がることから、ますます人気が高まっています。ほとんどのマイクロインバータは1KW未満です。太陽光パネルでは電力効率が非常に重要であるため、GaNデバイスはマイクロインバータに非常に適しています。一方、GaN デバイスはより高速なスイッチング速度で動作できるため、フォームファクタの小型化と電力密度の向上が可能になります。当社は、GaN HEMT を使用して世界最高効率のマイクロインバータを開発しています。
電気自動車は、世界中で徐々にガソリン車に取って代わりつつあります。電気自動車の普及に向けた最大の課題の1つは、高効率で急速充電、高出力の充電ステーションの存在です。高電力消費の性質上、これらの充電ステーションでは効率が鍵となります。たとえ0.5%の効率向上でも、長期的には大きな節約になります。これらのアプリケーションでは、当然のことながら、GaNパワーデバイスはシリコンよりも優れた選択肢です。充電ステーションのパワーモジュールは、自動車のバッテリーを充電するための400Vの電圧出力を備えたAC/DCコンバーターで構成されています。当社はパートナーと共に新世代のEV充電ステーションを開発しています。
情報技術の急速な発展により、今はクラウドコンピューティングとビッグデータの時代です。データセンターには多数のサーバーが必要であり、各サーバーの電力範囲は数百ワットから千ワットです。シリコンパワーデバイスを GaN パワーデバイスに切り替えることで各サーバーの効率を1％向上させることができれば、節約できる電力は驚くほど大きくなることがわかっています。たとえば、2010年、データセンターの世界の電力消費量は2000億キロワットに近かったです。すべてのサーバー電源に効率を1％向上させる GaN HEMT デバイスが搭載されていれば、20億キロワットを節約できます。これは、中規模都市に1年間電力を供給するのに十分な量です。近い将来、サーバーの電力消費が10倍に増加した場合、GaN HEMT を使用することで節約した電力は、サンフランシスコやトロントなどの大都市に電力を供給できます。当社は、参加しているサーバー電源プロバイダーと協力して、最高のサーバー電源モジュールソリューションを提供しています。
