GaNPower の 1200V GaN デバイステストのブレイクスルー

今年8月、GaNPowerは、定格動作条件が1200V/20A（70mΩ）で、ゲート電圧12Vで出力電流が20Aを超える新世代の高電圧GaNデバイスを発表しました。この性能向上により、GaNPowerのGaNデバイスは動作性能の点で同じ仕様のシリコンカーバイド (SiC) デバイスに匹敵するようになりました。 詳細はこちらをご覧ください。

GanPower International Inc. について

GanPower International Inc. は、カナダのバンクーバーに拠点を置く非公開のカナダ連邦法人で、パワーエレクトロニクスにおける窒化ガリウム(GaN)ベースの技術の開発に注力しています。持続可能な未来には責任あるエネルギー変換ソリューションが必要であり、GaN 素材ベースのパワーエレクトロニクスがそのようなソリューションの鍵を握っていると信じる専門家グループによって設立されました。同社の使命は、より環境に優しい未来のために、GaNデバイス、GaNベースのパワーIC、およびGaN関連パワーシステムソリューションの世界クラスの製品を提供することです。