Eモード GaNFET のアップグレード版

ゲート ターンオン電圧 (4V) の強化とゲート駆動範囲 (+/- 20V) の拡大を特徴とする EMODE GaNFET のアップグレード バージョン (GP65R45T4) のリリースを発表いたします。All-GaN-IC テクノロジを採用したこの新しいデバイスでは、既存の SJ MOFET および SiC をピンツーピン方式で簡単に置き換えることができます。詳細については アプリケーションノートをご覧ください.

GanPower International Inc. について

GanPower International Inc. は、カナダのバンクーバーに拠点を置く非公開のカナダ連邦法人で、パワーエレクトロニクスにおける窒化ガリウム(GaN)ベースの技術の開発に注力しています。持続可能な未来には責任あるエネルギー変換ソリューションが必要であり、GaN 素材ベースのパワーエレクトロニクスがそのようなソリューションの鍵を握っていると信じる専門家グループによって設立されました。同社の使命は、より環境に優しい未来のために、GaNデバイス、GaNベースのパワーIC、およびGaN関連パワーシステムソリューションの世界クラスの製品を提供することです。