GaNPower の 1200V GaNFET ダイナミック Ron のブレークスルー

GaNPower は最近、1200V GaNFET 20A のスイッチング電流で、Vbus=100-1200V の広い温度範囲と 25-125C の電圧範囲で優れた動的スイッチング性能を実証しました。 詳細は こちら。

GanPower International Inc. について

GanPower International Inc. は、カナダのバンクーバーに拠点を置く非公開のカナダ連邦法人で、パワーエレクトロニクスにおける窒化ガリウム(GaN)ベースの技術の開発に注力しています。持続可能な未来には責任あるエネルギー変換ソリューションが必要であり、GaN 素材ベースのパワーエレクトロニクスがそのようなソリューションの鍵を握っていると信じる専門家グループによって設立されました。同社の使命は、より環境に優しい未来のために、GaNデバイス、GaNベースのパワーIC、およびGaN関連パワーシステムソリューションの世界クラスの製品を提供することです。